Лазерный комплекс

Наши лазерные комплексы оснащены источниками компании «IPG-PHOTONICS»  которая является мировым лидером в волоконных лазерах высокой мощности, и волоконных усилителей.

«IPG-PHOTONICS» была основана в 1990 году нашим соотечественником физиком Валентином П. Гапонцевым, который является «первопроходцем»  в области волоконных лазеров.

Современный волоконный лазер содержит многомодовые диоды высокой мощности одного передатчика или диодные линейки, как правило, через покрытие, которое окружает ядро одномодового.  Волокна двойного покрытия состоит из внутреннего ядра, легированного одномодовых подходящих ионов, таких как неодим, эрбий, иттербий и тулий. Покрытие состоит из нелегированного криталла, имеющего низкий показатель преломления. Свет насоса проходит в покрытие, и затем распространяется по всей структуре, которая проходит через активное ядро и производит инверсию.

Оптоволокно - основа технологии волоконных лазеров IPG — это оптоволокно. Оптоволокно — это цилиндрическая структура из высокопрозрачного стекла.  диаметр сечения жилы волокна составляет от нескольких единиц до сотен микрон, в то время как длина разнится от нескольких метров до многих километров. Огромный коэффициент отношения длины к диаметру волокна является основой многих уникальных свойств волоконных лазеров. Стекловолокно — это оптический волновод, способный вмещать и проводить излучение с минимальными потерями. При соблюдении условия полного внутреннего отражения свет проходит внутри волокна с весьма незначительными потерями на излучение через стенки волокна. Существуют пассивные и активные оптические волокна. Пассивные волокна переносят излучение, тогда как активные обеспечивают усиление посредством смешивания проводимого излучения со светом лазера накачки в присутствии ионов редкоземельных элементов, содержащихся в центральной жиле оптоволокна.         

Диоды накачки -  это инновационная технология  компании IPG, диоды с одиночным излучателем произведены с использованием технологий и процессов, зарекомендовавших себя в сфере лазерной резки металлов, что превосходит  над подобными  продуктами накачки в этой сфере, в которых используются менее надежные диодные матрицы и технологии. В результате, диоды с одиночным излучателем предлагают на порядок более высокую интенсивность излучения и в два раза более высокую эффективность по сравнению с накачкой со стеками матриц. Источники накачки с одиночным излучателем могут использовать простое водное или даже принудительное воздушное охлаждение, тогда как стеки матриц нуждаются в дорогостоящих, ненадежных и сложных микроканальных охладительных системах с применением деионизированной воды под высоким давлением.